一、6N高纯铟、7N高纯铟的生产技术：分别要求In含量99.9999%以上和99.99999%以上。

二、超高密度金属氧化物陶瓷致密化技术：要求达到99.0%-99.9%的理论密度，如In2O3/SnO2重量比9：1的复合金属氧化物陶瓷，要求99.0%-99.9%的理论密度，尺寸500*500mm。

三、高效低成本纳米复合氧化物生产技术，如纳米ZnO/Al2O3、TiO2/Al2O3、Ag/SnO2和TiO2/ SnO2等复合氧化物生产技术。

四、金红石型钛白包膜技术。

五、磷化铟、砷化铟半导体材料生产技术及设备。

六、0.1-0.76微米光亮焊锡球精确制备技术及设备。

欢迎国内外大专院校、科研院所以及对上述项目有专长的科研人才前来洽谈、合作、开发。

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